三星德州二厂本月动工 专供辉达超微HBM芯片 产能全满

     三星德州二厂本月动工 专供辉达超微HBM芯片 产能全满

11/3/2026 12:00:00 AM    拨打电话

韩国媒体“每日经济新闻”今天引述产业消息报导,三星电子位于美国德州泰勒市(Taylor)的第二座晶圆厂,将为超微(AMD)与辉达(Nvidia)的高频宽记忆体(HBM)芯片生产基础晶粒(basedie)。

根据“每日经济新闻”(Maeil Business Newspaper)报导,三星电子(SamsungElectronics)德州二厂预定本月正式动工,目前产能已全数获得订单,其中大部分订单来自超微。

报导指出,二厂将采先进的2奈米制程技术,厂区面积约25.1万平方公尺,约为三星与特斯拉(Tesla)签有合约的一厂面积的1.5倍。

报导表示,二厂预计自2029年2月起安装设备,并于2030年开始量产。

三星电子对此婉拒置评。


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